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| 产品型号 | IRF540N | | 品牌 | Infineon | | 封装 | TO-220 | | 价格 | 电询 | | 描述 | N沟道场效应管33A,140W | | 查看资料 | IRF540N | |
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产品说明
IRF540N参数:100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管
产品种类: MOSFET
制造商: IR
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 33 A
Rds On-漏源导通电阻: 44 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 47.3 nC
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
Pd-功率耗散: 140 W
工厂包装数量: 1200
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
单位重量: 6 g
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| 下一页 尾页 页码：1/10 | | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | | AP1511B | UWM | SOT-23-6 | IR-Cut Removable (ICR)专用驱动IC |  |  |  | | | IRF740PBF | VISHAY | TO-220 | N沟道场效应管10A 400V | | | | | | IRGP35B60PDPBF | IR | TO-247 | IGBT管600V,35A,308W | | | | | | IRFR3607TRPBF | Infineon | TO-252 | N沟道场效应管(MOSFET)56A75V | | | | | | IRLB3034 | IR | TO-220 | N沟道场效应管343A40V | | | | | | IRLB3034PBF | IR | TO-220 | N沟道场效应管343A40V | | | | | | IRFB7430 | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | | IRFB7430PBF | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管195A 40V | | | | | | IRFPC60 | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | | IRFPC60 | IR | TO-247 | 功率场效应管16A 600V | | | | | | IRFPC60PBF | IR | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | | IR2104STRPBF | IR | SOP-8 | 桥式驱动芯片 | | | | | | IR2104S | IR | SOP8 | 桥式驱动芯片 | | | | | | IRFPC60PBF | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | | IRFPC60LCPBF | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | | IRFPC60LC | VISHAY | TO-247 | N沟道场效应管600V,400mO,16A,280W | | | | | | IRM-2638A | EVERLIGHT | DIP-3 | 红外线接收器 | | | | | | IRM-2638A | EVERLIGHT | DIP-3 | 红外线接收器 | | | | | | IRF540N | Infineon | TO-220 | N沟道场效应管33A,140W | | | | | | IRF540NPBF | Infineon | TO-220AB | 100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管 | | | | |
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