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IRFP150NPBF
产品型号IRFP150NPBF
品牌IR/Infineon
封装TO-247AC
价格电询
描述N沟道场效应管100V 39A 36mOhm
查看资料IRFP150NPBF

产品说明



IRFP150N描述:来自国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术,可实现每硅面积的极低导通电阻。 这种优点与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件,可广泛用于各种应用中。 TO-247封装是商业工业应用的首选,在商业应用中,较高的功率水平导致无法使用TO-220器件。 TO-247与之相似,但由于其隔离的安装孔而优于早期的TO-218封装。



产品种类: MOSFET



RoHS: 详细信息



技术: Si



安装风格: Through Hole



封装 / 箱体: TO-247-3



晶体管极性: N-Channel



通道数量: 1 Channel



Vds-漏源极击穿电压: 100 V



Id-连续漏极电流: 39 A



Rds On-漏源导通电阻: 36 mOhms



Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V



Qg-栅极电荷: 110 nC



最小工作温度: - 55 C



最大工作温度: + 175 C



Pd-功率耗散: 140 W



通道模式: Enhancement



封装: Tube



配置: Single



高度: 20.7 mm



长度: 15.87 mm



晶体管类型: 1 N-Channel



宽度: 5.31 mm



商标: Infineon / IR



产品类型: MOSFET



工厂包装数量: 400


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