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TC4424AVOA713 |  | 型号
SCM1316AFA |
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| 产品型号 | MOC3063S-TA1 | | 品牌 | LITEON光宝 | | 封装 | SOP6 | | 价格 | 电询 | | 描述 | 小体积贴片光电耦合器 | | 查看资料 | MOC3063S-TA1 | |
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产品说明
属性 参数值
商品目录 光电可控硅
LED触发电流(Ift) (Max) 5mA
通态电流(It (RMS)) (Max) -
过零检测电路 Yes
断态电压 600V
隔离电压 5000Vrms
单元组数 1
输出类型 Triac
查看类似商品 输出类型：Triac
过零电路：是
通道数：1
电压 - 隔离：5000Vrms
电压 - 断态：600V
静态 dV/dt（最小值）：1kV/μs
电流 - LED 触发器（Ift）（最大值）：5mA
电流 - 保持（Ih）：400μA（标准）
电压 - 正向（Vf）（典型值）：1.2V
电流 - DC 正向（If）：50mA
工作温度：-40°C ~ 100°C
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-SMD，鸥翼型
供应商器件封装：6-SMD
认可：CSA，FIMKO，UL
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| 下一页 尾页 页码：1/10 | | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | | PJP10NA80 | PANJIT强茂 | TO-220F | 10A800V N沟道MOSFET |  |  |  | | | PJF10NA80 | PANJIT强茂 | TO-220F | 10A800V N沟道MOSFET | | | | | | PJF8N65M | PANJIT强茂 | TO-220F | 7.5A650V N沟道MOSFET | | | | | | IRF540NPBF | IR/Infineon | TO-220 | N沟道场效应管100V,44mO,33A,140W | | | | | | IRFB4110 | INFINEON/英飞凌 | TO-220AB | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | | IRFB4110PBF | INFINEON/英飞凌 | TO-220 | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | | MOC3063S-TA1 | LITEON光宝 | SOP6 | 小体积贴片光电耦合器 | | | | | | IRF540NPBF | Infineon | TO-220AB | 100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管 | | | | | | IPP110N20N3G | Infineon | TO-220 | 88A200V N沟道场效应管(MOSFET) | | | | | | IRFR3607TRPBF | Infineon | TO-252 | N沟道场效应管(MOSFET)56A75V | | | | | | FDN360P | ON | SOT-23 | P沟道场效应管(MOSFET)2A30V | | | | | | SVD1055SA | Silan | SOP-8 | N➕P沟道平面低压MOS | | | | | | SVD9Z24NT | Silan | TO-220-3L | N沟道平面低压MOS | | | | | | SVDP2353PL3A | Silan | PDFN3*3 | P沟道平面低压MOS | | | | | | SVF14N25CD | Silan | TO-252-2L | N沟道平面低压MOS | | | | | | SVF6N25CD | Silan | TO-252-2L | N沟道平面低压MOS | | | | | | SVD640T | Silan | TO-220-3L | N沟道平面低压MOS | | | | | | SVD540D | Silan | TO-252-2L | N沟道平面低压MOS | | | | | | SVD540T | Silan | TO-220-3L | N沟道平面低压MOS | | | | | | SVD3205T | Silan | TO-220-3L | N沟道平面低压MOS | | | | |
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