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 | 型号 AQV259A |  | 型号 JW5069AQFNF#TRPBF |  | 型号 JW7115S-2.5SOTA#TRPBF |  | 型号 JW5057STSOTB#TRPBF |  | 型号 JW5250ASOTA#TR |  | 型号 JW5015AESOP#TRPBF |  | 型号 JW5068AQFNF#TRPBF |  | 型号 JW5352MSOTB#TR |
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| 产品型号 | IPT015N10N5 | | 品牌 | Infineon | | 封装 | PG-HSOF-8 | | 价格 | 电询 | | 描述 | N沟道场效应管MOSFET,100V,300A,1.3mΩ@10V | | 查看资料 | IPT015N10N5 | |
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产品说明
商品目录 场效应管(MOSFET) 数量 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id) 300A 导通电阻(RDS(on)) 2mΩ@6V,75A 耗散功率(Pd) 375W 阈值电压(Vgs(th)) 3.8V@280uA 栅极电荷量(Qg) 211nC@10V 输入电容(Ciss) 16nF 反向传输电容(Crss) 140pF 工作温度 -55℃~+175℃ 类型 N沟道 输出电容(Coss) 2.3nF
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