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IPT015N10N5
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产品型号
IPT015N10N5
品牌
Infineon
封装
PG-HSOF-8
价格
电询
描述
N沟道场效应管MOSFET,100V,300A,1.3mΩ@10V
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IPT015N10N5
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产品说明
商品目录
场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 300A
导通电阻(RDS(on)) 2mΩ@6V,75A
耗散功率(Pd) 375W
阈值电压(Vgs(th)) 3.8V@280uA
栅极电荷量(Qg) 211nC@10V
输入电容(Ciss) 16nF
反向传输电容(Crss) 140pF
工作温度 -55℃~+175℃
类型 N沟道
输出电容(Coss) 2.3nF
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Infineon
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N沟道场效应管MOSFET,100V,300A,1.3mΩ@10V
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DIP
DC/DC隔离宽电压输入电源(1-1300W)DIP(1-75W)
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MORNSUN金升阳
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DC/DC隔离宽电压输入电源(1-1300W)DIP(1-75W)
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MORNSUN金升阳
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MORNSUN金升阳
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MORNSUN金升阳
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DC/DC隔离宽电压输入电源(1-1300W)DIP(1-75W)
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MORNSUN金升阳
DIP
DC/DC隔离宽电压输入电源(1-1300W)DIP(1-75W)
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MORNSUN金升阳
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MORNSUN金升阳
DIP
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MORNSUN金升阳
DIP
DC/DC隔离宽电压输入电源(1-1300W)DIP(1-75W)
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