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L7815CV-DG |
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| 产品型号 | TK39N60W5 | | 品牌 | TOSHIBA | | 封装 | TO-247 | | 价格 | 电询 | | 描述 | N沟道场效应管MOS管39A600V | | 查看资料 | TK39N60W5 | |
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产品说明
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 38.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 62 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 135 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 270 W
通道模式: Enhancement
商标名: DTMOSIV
系列: TK39N60W5
封装: Tube
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 9 ns
高度: 20.95 mm
长度: 15.94 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 120 ns
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粤公网安备 44030402002388号