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型号
G5126TB1U
型号
SI3865DDV-T1-GE3
型号
MUR1620CTG(U1620G)
型号
U1620G
型号
MUR1620CTG
型号
MUR1620CT
型号
EMC2301-1-ACZL-TR
型号
ACPL-227-500E
 
SI3865DDV-T1-GE3
产品型号SI3865DDV-T1-GE3
品牌VISHAY
封装TSOP-6
价格电询
描述电平转换门驱动的负载开关
查看资料SI3865DDV-T1-GE3
购买SI3865DDV-T1-GE3

产品说明


Si3865DDV 在单个 TSOP-6 封装中包含一个 P 沟道和 N 沟道 MOSFET。低导通电阻的 P 沟道 TrenchFET 适用于用作负载开关。N 沟道 MOSFET 可以通过外部电阻用作电平移位来驱动 P 沟道负载开关。N 沟道 MOSFET 具有内部 ESD 保护，并且可以由低至 1.8 V 的逻辑信号驱动。Si3865DDV 可在 1.5 V 至 12 V 的电源线上工作，能够驱动高达 2.8 A 的负载。



应用领域

具有电平转换门驱动的负载开关

斜率控制

移动/消费类设备

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SI3865DDV-T1-GE3VISHAYTSOP-6电平转换门驱动的负载开关SI3865DDV-T1-GE3
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