SVF10N80F Silan 10A800V，N沟道平面高压MOS

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SVF10N80F

产品型号	SVF10N80F
品牌	Silan
封装	TO-220F-3L
价格	电询
描述	10A800V，N沟道平面高压MOS
查看资料	SVF10N80F
购买SVF10N80F

产品说明

SVF10N60F参数：10A,800V,N沟道场效应管描述 N 沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-Cell平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H 桥PWM马达驱动。特点 10A，800V，R DS(on)(典型值)=1.0 Ω@VGS=10V 低栅极电荷量低反向传输电容开关速度快提升了dv/dt 能力

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