FP50R12KT3参数:50A,1200V,IGBT模块
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 75 A
封装 / 箱体: Econo 3
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 62 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Screw
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FP50R12KT3BOSA1 SP000100445
单位重量: 300 g