制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
Id-连续漏极电流: 38 A
Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms
配置: Single Dual Source
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 890 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-227B-4
封装: Tube
商标: IXYS
通道模式: Enhancement
下降时间: 15 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 28 ns
系列: IXFN38N100
工厂包装数量: 10
典型关闭延迟时间: 57 ns
单位重量: 38 g