STW3N150 ST N沟道场效应管MOSFET,3A,1500V,9Ω@10V

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STW3N150

产品型号	STW3N150
品牌	ST
封装	TO-247
价格	电询
描述	N沟道场效应管MOSFET,3A,1500V,9Ω@10V
查看资料	STW3N150
购买STW3N150

产品说明

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：1500V（1.5kV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.5A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：9 欧姆 @ 1.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：29.3nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：939pF @ 25V

功率 - 最大值：63W

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3 整包

供应商器件封装：TO-3PF

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