IKW40N120H3参数：40A,1200V,IGBT管HighSpeed3 20-100kHz
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.05 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 80 A
栅极—射极漏泄电流: 600 nA
Pd-功率耗散: 483 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
集电极最大连续电流 Ic: 80 A
最小工作温度: - 40 C
系列: IKW40N120
工厂包装数量: 240
零件号别名: IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3XK SP000674416
单位重量: 38 g