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N沟道场效应管65A100V
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AP65N10NF采用先进的APM- SGTII 技术,提供出色的RDS(导通)性能、低栅极电荷以及低至4.5V的栅极电压操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。主要特性 VDS = 100V ID = 65A RDS(导通)< 12mΩ @ VGS =10V(Type:9.0mΩ)应用 DC/DC转换器 LED背光电源管理开关
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