AP6H06S APM 6A60V N沟道场效应管MOSFET

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AP6H06S

产品型号	AP6H06S
品牌	APM
封装	SOP-8L
价格	电询
描述	6A60V N沟道场效应管MOSFET
查看资料	AP6H06S
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产品说明

AP6H06S采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）性能、低栅极电荷以及低至4.5V的栅极电压操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。主要特性 VDS = 60V ID = 6.5A RDS（导通）< 48mΩ @ VGS =10V（类型： 39mΩ）应用领域电池保护负载开关不间断电源

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产品型号	厂商	封装	简要描述	图片	资料	订购
AP6H06S	APM	SOP-8L	6A60V N沟道场效应管MOSFET

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